Kamis, 21 Oktober 2010

EDO RAM

Nama               : Fidianingsih
Kelas               : 2KA07
NPM               : 11109976
Mata Kuliah     : Peng. Org. & Arst Komputer
Dosen              :Bintang
Tema               : EDO RAM




EDO RAM

EDO RAM dapat memberikan performa system 50% lebih cepat dibandingkan dengan DRAM. EDO RAM sama seperti FPM DRAM, dengan beberapa chace yang dibangun ke chip. Seperti FPM DRAM, EDO RAM memiliki kecepatan maksimal 50MHz EDO RAM uga harus membutuhkan L2 Cache untuk membuat semuanya berjalan dengan cepat, namun jika user tidak memilikinya, maka EDO RAM akan berjalan jauh lebih lambat.

Gambar EDO RAM :

Demystifying RAM for Newbies

Posted by Ricky Handrian on July 16, 2006
Kita semua tentu sudah tidak asing lagi dengan peripheral computer satu ini. Dynamic Random Access Memory atau yang sering disingkat DRAM, merupakan salah satu komponen utama untuk membangun sebuah PC (Personal Computer). Kinerja system PC pun sangat dipengaruhi oleh kualitas Memory yang digunakan. Lalu apa saja yang mempengaruhi kualitas sekeping Memory? Bagaimana cara memilih Memory yang sesuai dengan system yang kita gunakan? Pertanyaan yang seringkali dilontarkan orang awam ketika ingin membeli sekeping memory. Kali ini kita akan membahas lebih jauh mengenai istilah-istilah yang berkaitan dengan DRAM, Bagaimana sekeping DRAM bekerja dalam system PC, serta factor-faktor yang mempengaruhi kualitas dan kinerjanya.
Apa itu DRAM dan Bagaimana Cara kerjanya ?
Dynamic random access memory (DRAM) ,Sama hal nya dengan prosesor, sebuah chip memory terbuat dari rangkaian jutaan transistor dan kapasitor. Sepasang transistor dan kapasitornya membentuk sebuah sel memory yang mewakili satu bit data, dapat berupa data 0 ataupun 1.DRAM bersifat volatile, artinya data-data yang tersimpan di dalamnya akan hilang jika aliran listrik terputus.Cara kerja DRAM dapat dianalogikan seperti sebuah “ember bocor” yang harus di isi terus menerus agar tidak kosong.
ember-copy.jpg
Analogi Ember Bocor
Untuk dapat menyimpan bit ‘1’ pada sel memory, kapasitor di isi dengan electron, sementara itu untuk menyimpan bit ‘0’, kapasitor dikosongkan. Sebuah kapasitor hanya mampu menyimpan electron selama beberapa milidetik saja. Oleh karena itu ,Sebuah sel memory perlu di refresh secara terus menerus agar 1 bit yang tersimpan didalamnya tidak hilang. Proses refresh pada sel memory ini berlangsung ribuan kali dalam satu detik. Dari proses refresh yang terus menerus inilah nama “Dynamic RAM” diperoleh.
Susunan sel-sel memory pada sebuah chip berbentuk array dua dimensi. Jumlah sel memory dalam sebuah Chip DRAM adalah 4096 baris dan 1024 kolom. Untuk mengakses baris, baris dan kolom pada chip, memory memiliki beberapa control signal. Control signal tersebut antara lain :
· RAS (Row Access Strobe)
Mengaktifkan alamat baris yang di akses
· CAS (Column Access Strobe)
Mengaktifkan kolom yang akan diakses
· WE (Write Enable)
Controller dapat menuliskan data ke memory
· CS (Chip Select)
Mengaktifkan memory agar bisa di baca dan ditulisi.
· BA0,BA1(Bank Address)
Menentukan memory bank yang akan di akses.
DIMM
Chip-chip DRAM dirangkai pada sebuah modul papan sirkuit yang dinamakan DIMM(Dual Inline Memory Module). DIMM untuk DDR mampu menghantarkan data sepanjang 64bit.Ada 2 tipe DIMM jika dilihat dari bentuk fisik. Yakni DIMM single sided dan double sided. DIMM single sided atau yang lebih sering disebut Memory single sided adalah memory yang chip memorynya hanya terpasang di satu sisi DIMM, biasanya memiliki 8 IC atau 4IC. Sedangkan memory double sided yang kedua sisinya penuh diisi IC, biasanya 16 IC. Ada pula memory light double sided, yakni memory module yang memiliki IC di kedua sisinya namun tidak penuh terisi(16 IC) melainkan hanya 8 IC. Secara arsitektur, memory light double sided termasuk kategori single sided.
SDRAM
Sychronous Dynamic Random Access Memory(SDRAM) merupakan teknologi RAM yang sampai saat ini masih dipergunakan secara luas oleh desktop PC dan teknologinya masih terus dikembangkan oleh vendor-vendor chip memory. SDRAM menggunakan kelebihan dari konsep burst mode untuk meningkatkan kinerja RAM secara signifikan. Dalam mengakses satu data, pointer tetap berada dalam satu satu baris(row) yang mengandung bit yang akan di baca, kemudian terus berpindah kolom sambil membaca bit yang ada didalam kolom yang dilewati. Kecendrungan data yang dibutuhkan oleh CPU akan tersusun berurutan dalam RAM, sehingga metode pengaksesan ini lebih cepat dari metode sebelumnya yakni EDO RAM.Sebuah modul SDRAM memiliki 164 Pin. Transfer rate maksimum SDRAM menuju L2 cache diperkirakan sebesar 1064MBps untuk SD RAM PC 133.
sdram.jpg
Gambar SDRAM
DDR-SDRAM
DDR adalah singkatan dari Double Data Rate , DDR SDRAM merupakan perkembangan lebih lanjut dari SDRAM,menggunakan arsitektur yang serupa dengan SDRAM, hanya saja berjalan dengan bandwith yang lebih tinggi. Secara fisik sebuah modul DDR SDRAM memiliki 184 Pin. Lebih banyak dari pada SDRAM, sehingga dapat berjalan dalam bus speed yang lebih tinggi. Selain bus speed yang lebih tinggi, mendengar istilah “double data rate” tentu kita sudah dapat menerka bahwa DDR adalah SDRAM yang data ratenya di gandakan. Lalu bagaimana proses pelipatgandaannya? Sebuah DDR SDRAM dalam kondisi optimal mampu menghantarkan data dua kali lipat menuju prosesor pada waktu yang bersamaan. Clock memory sebenarnya merupakan sinyal listrik yang berada di antara dua level voltase yakni voltase Low dan voltase high. Pada SDRAM, data dihantarkan ke prosesor pada saat sinyal berpindah dari Low ke High. Sementara itu pada DDR, Data berpindah tidak hanya berpindah pada sinyal low menuju high, tetapi juga memindahkan data ketika sinyal high kembali ke sinyal low. Sehingga dalam satu clock cycle,DDR menghantarkan data sebanyak dua kali.
DDR-SDRAM
Gambar DDR SDRAM
RDRAM
Satu lagi teknologi DRAM yang muncul ketika awal berkembangnya prosesor Intel P4. Rambus Dynamic Random Access Memory adalah sebuah perubahan radikal pada arsitektur DRAM. Nama Rambus berasal dari perusahaan “Rambus”, perusahaan yang menemukan teknologi RDRAM. Rambus in-line Memory Module (RIMM) memiliki ukuran dan konfigurasi pin yang sama dengan DIMM hanya saja ada sedikit perbedaan desain slot. RDRAM menggunakan Rambus Channel sebagai data bus yang mampu berjalan pada data rate sebesar 800MHz, merupakan DRAM tercepat pada masa RDRAM ditemukan. Teknologi Rambus Channel mengharuskan memory ini ditancapkan berpasangan pada slot RIMM agar dapat beroperasi. Chip RDRAM juga lebih panas jika dibandingkan dengan SDRAM oleh karena itu RDRAM selalu dilengkapi dengan heat spreader. Karena RDRAM dimonopoli oleh Rambus, harga RDRAM menjadi kurang ekonomis. Sehingga Intel yang pertamakali menggunakan RDRAM pada platform Pentium 4, beralih ke DDR-SDRAM yang lebih ekonomis.
SO-DIMM
Bagi pengguna Notebook pasti sudah tidak asing lagi dengan peripheral yang satu ini. Tepat sekali , SO-DIMM (Small Outline Dual Inline Memory Module) merupakan form factor memory yang berukuran kecil dan diperuntukkan bagi notebook. Selain SO-DIMM terdapat pula SO-RIMM untuk RDRAM berukuran mini, hampir semua teknologi pada memory desktop desktop seperti SDRAM, DDR-SDRAM, juga diterapkan pada SO-DIMM.
Transfer Rate
Pernahkah Anda mendengar istilah SDRAM PC133, DDR-SDRAM PC2700, atau DDR-SDRAM 400? Lalu dari mana angka-angka itu berasal, apa artinya? Seperti yang telah dijelaskan di awal, DIMM untuk DDR memiliki panjang bit sebesar 64bit. 8 bit = 1 byte , maka DDR-DIMM memiliki lebar sebesar 8 byte. Dengan mengetahui Memory Bus dan lebar data DIMM, maka transfer rate sekeping DIMM dapat di hitung. Transfer rate merupakan hasil perkalian dari Memory BUS dan panjang bit pada DIMM yang sebelumnya telah diubah ke satuan byte. Misalnya DDR-SDRAM 333 berapakah transfer ratenya? 333MHz * 8 = 2664 , dibulatkan menjadi 2700. Artinya DDR333 atau DDR PC2700 memiliki transfer rate sebesar 2700MBps.
memory Bus(MHz)
Double Data Rate(MHz)
Panjang Bit (dalam satuan byte)
Transfer Rate (dalam satuan MBps)
100
200
8
1600
133
266
8
2100
166
333
8
2700
200
400
8
3200
Penentuan Memory Bus juga tidak dilakukan seenaknya dan sembarangan. JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) Sebuah konsorsium yang terdiri dari produsen-produsen chip memory, bersama-sama menetapkan standarisasi untuk Bus Memory, kapasitas, form factor dan konektor untuk memory PC.
Dual Channel Memory
Sebenarnya teknologi ini bukan terdapat pada memory, melainkan pada motherboard. Sebuah motherboard yang mendukung dual channel memory technology, akan membentuk dua kanal memory masing-masing sebesar 64 bit sehingga jika fitur ini diaktifkan, memory pada system akan memiliki bandwith dua kali lipat. Dengan bandwith lebih besar, maka kecepatan CPU mengakses memory akan menjadi lebih cepat dan mempercepat kinerja keseluruhan system. Untuk mengaktifkan fitur dual channel memory pada motherboard, diperlukan satu pasang memory. Dua keping RAM dapat dikatakan sepasang jika memiliki kapasitas yang sama, ECC(error checking and correction) yang sama, serta bentuk fisik (single atau double sided) yang sama. Jika criteria di atas terpenuhi, tetapi kedua keping memory yang akan dipasangkan memiliki bus yang berbeda, maka system akan tetap berjalan dengan Patokan bus yang terendah. Beberapa produsen memory mempermudah penerapan dual channel memory dengan menyediakan penjualan memory yang sepasang(paired). Namun hal ini bukan berarti memory yang tidak sepasang tidak dapat beroperasi pada teknologi dual channel. Pengaktifan fitur dual channel memory ini dapat memberikan kenaikan performa system sampai dengan 50%.
single-channel-memory.jpg
Pada Single Channel Memory,hanya ada satu Kanal 64 bit antara chipset dan Memory
dual-channel-memory.jpg
Pada System Memory dual channel, terdapat dua memory bus masing masing sebesar 64 bit, sehingga bandwith antara chipset dan memory menjadi dua kali lipat.
Memory Latency
Selain transfer rate dan memory bus, hal lain yang tidak kalah pentingnya dalam menentukan kecepatan sekeping memory adalah Memory Latency, atau dikenal juga dengan sebutan timing memory. Ketika sebuah permintaan untuk membaca memory diberikan, memory tidak dapat langsung memberikan output data secara actual. Delay antara request dan actual output inilah yang dikenal dengan sebutan Latency pada memory. Latency diukur dengan clock cycle. Semakin kecil latency yang dimiliki satu modul memory, maka semakin cepat memory tersebut memproses request.Ketika chip memory diakses, maka yang pertama kali dilakukan adalah mengaktifkan row, kemudian mengakses kolom-kolom di dalam row tersebut, setelah itu row di “deactivate” dan controller berpindah ke row selanjutnya. Begitu selanjutnya sampai keseluruhan array memory cell di akses. Berikut ini beberapa latency yang dikenal pada memory.
· tRCD(Row to Colomn delay)
Latency ketika perpindahan controller pada active row menuju kolom yang akan di akses, biasanya sekitar 2 sampai 3 clock cycle.
· CAS Latency (Column Access Strobe Latency)
Latency ketika berpindah kolom di dalam active row. Pada DDR biasanya 2 atau 2,5 atau kadangkala 3 clock cycle dan pada SDR 2 atau 3 clock cycle.
· tRP(RAS Precharge)
Penundaan sebelum mengakses baris baru, ketika baris lama sudah di “deactivate”.
· tRAS(Row Access Strobe Latency)
Merupakan delay minimum chip aktif menunggu precharge. 5,6, atau 7 clock cycle.
· Command Rate
Delay sebelum chip yang dipilih diakses, 1 atau 2 clock cycle.
Misalnya sebuah memory memiliki timing 2,3,3,5 1T, maka dapat diartikan CAS Latency = 2,tRCD =3, tRP = 3, tRAS = 5, dan command rate 1T. Memory yang memiliki timing ketat (kecil) dapat memiliki performance yang luar biasa, biasanya dibuat dari chip memory pilihan seperti Winbond BH5, Winbond UTT , Samsung TCCD, Micron, dll. Beberapa produsen memory juga memproduksi memory low latency dengan kemasan khusus dan tentu saja dengan harga yang khusus pula. Memory low latency banyak digunakan untuk tweaking system dan overclocking.
SPD
Serial Presence Detect (SPD) adalah sebuah serial EEPROM (Electrical Erasable and Programmable Read Only Memory) berupa chip kecil dengan 8 pin ,terpasang pada DIMM dan berfungsi menyimpan informasi penting DIMM antara lain : Tipe Memory (DDR/SDR), Jumlah memory Bank , Lebar Data, antarmuka Voltase , RAM Cycle Time , ECC/non ECC, CAS Latency, tRAS, tRCD, tRP, JEDEC ID CODE , Part Number, Lokasi pembuatan. Data yang tersimpan pada SPD bersifat non volatile.
spd.jpg
SPD , menyimpan informasi penting sekeping DIMM
DDR2
Untuk memenuhi kebutuhan bandwith yang semakin lama semakin besar, DDR dirasa kurang memadai. JEDEC memutuskan untuk membuat standarisasi DDR baru dengan nama DDR2. Dengan memory bus diatas 400MHz(bus tertinggi untuk DDR) , DDR2 diharapkan dapat memenuhi kebutuhan bandwith memory untuk computer high saat ini . Berikut ini table perbedaan antara DDR2 dan DDR
ddr_vs_ddr2.jpgddr2-copy.jpg
Bandwith yang dihasilkan DDR2 memang lebih tinggi, namun timing memory yang dimiliki tidak seketat DDR-SDRAM.
Semoga Artikel ini dapat bermanfaat bagi para pemula yang ingin belajar lebih dalam mengenai Computer Hardware. Penulis menerima segala macam bentuk kritik dan saran untuk perbaikan kualitas artikel-artikel yang akan datang.[RH]


Kecepatan selalu didambakan oleh siapa saja. Berbagai usaha dan penelitian terus dilakukan untuk meningkatkan kemampuan . Beberapa waktu yang lalu super komputer tercepat di dunia telah hadir untuk membantu militer amerika melakukan perhitungan. Kini giliran sebuah teknologi di bidang Memory .

Sebelumnya Anda pasti pernah mendengar istilah RAM (Ramdom Access Memory) untuk menyebut memory . Memory RAM ini memiliki berbagai jenis mulai dari EDO RAM, DDR1, DDR2 dan beberapa jenis lainnya.
Namun ternyata RAM saja elum cukup untuk memuaskan kebutuhan manusia akan tuntutan kecepatan. Oleh karena itu, Fisikawan dan Insinyur Jerman mengembangkan sebuah jenis memory baru.
Memory tersebut diberi nama Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM), memory ini bukan hanya lebih cepat daripada RAM tetapi juga Lebih hemat Energi. Kehadiran MRAM sepertinya akan meningkatkan perkembangan mobile computing dan level penyimpanan dengan cara membalik arah kutub utara-selatan medan magnit.
IBM dan beberapa perusahaan pengembang yang lain berencana menggunakan MRAM, MRAM ini akan memutar elektron-elektron untuk mengganti kutub magnet. Hal ini juga dikenal sebagai spin-torque MRAM (Torsi putar MRAM) teknologi inilah yang kini sedang dikembangkan oleh para fisikawan dan insinyur Jerman.
Dengan membangun pilar-pilar kecil berukuran 165 nano meter, akan mengakibatkan magnet variabel pada atas lapisan akan mengakibatkan arus listrik mengalir dari bawah ke atas dan akan memutar posisi elektron. Medan magnet ini akan berubah dan hanya membutuhkan sedikit waktu untuk merubah kutub medan magnet ini. Kemudian kutub utara dan selatan akan bertukar.
Jika anda bingung dengan proses di atas, tidak usah dihiraukan juga tidak apa-apa. Atau kalau mau membaca sendiri yang versi inggris disini.
Yang pasti, kecepatan MRAM mencapai 10 kali lipat kecepatan RAM. KEcepatan ini masih bisa terus dikembangkan dimasa depan.

Tidak ada komentar:

Poskan Komentar